SK Hynix представила план передовой упаковки для HBM нового поколения на Hot Chips 2026

AI-дайджестРедакция Mimile.ai24 августа 2026 г. в 01:30

Материал подготовлен искусственным интеллектом на основе нескольких источников — ссылки на оригиналы приведены ниже.

SK Hynix представила план передовой упаковки для HBM нового поколения на Hot Chips 2026

SK Hynix представила стратегию передовой упаковки для памяти HBM нового поколения на конференции Hot Chips 2026. Компания подробно описала технологии, включая Intel EMIB и 3D-структуры, для решения проблем масштабирования. Дорожная карта предусматривает HBM4 с объёмом до 48 ГБ и пропускной способностью более 2 ТБ/с.

2 источника

SK Hynix представила план передовой упаковки для HBM нового поколения на Hot Chips 2026

wccftech.com

Wccftech Auto

wccftech.com

Wccftech Auto

Читать также

SK Hynix рассматривает партнерство по выпуску памяти в Японии для ИИ-бума

SK Hynix изучает возможность создания совместного предприятия по производству чипов памяти в Японии — один из вариантов удовлетворения растущего спроса на ИИ при контроле издержек. Председатель SK Inc. Чей Тэ-вон заявил, что компания рассматривает различные площадки для совместного завода, выступая в кулуарах встреч торговых палат Южной Кореи и Японии в Сендае. Это происходит на фоне глобальной экспансии SK Hynix, включая завод по упаковке чипов в Индиане и расширение на 54 трлн вон в Корее.

TSMC начинает создание quasi-EMIB, признавая успех Intel EMIB

TSMC начала разработку внутреннего проекта 'quasi-EMIB', заимствующего элементы технологии упаковки Intel EMIB. Этот шаг предпринят на фоне роста заказов на EMIB у Intel и сохраняющихся ограничений мощностей CoWoS до конца 2026 года.

Micron: стена памяти ИИ усугубляется, вычислительные мощности растут втрое быстрее пропускной способности HBM

Micron заявляет, что стена памяти ИИ усугубляется: вычислительные мощности растут втрое каждые два года, а пропускная способность HBM — менее чем вдвое. Компания представила анализ на Hot Chips 2026, где также описала инновации в упаковке и техпроцессе для решения растущих тепловых ограничений. Разрыв сохраняется, даже несмотря на рост высоты стеков HBM с 4 до 16 слоёв.

Samsung представила LPDDR5X-PIM на Hot Chips 2026: вывод ИИ в 3,01 раза быстрее

Samsung представила первую в отрасли память LPDDR5X-PIM на Hot Chips 2026, добавив вычислительную логику в стандарт энергоэффективной памяти. Технология обеспечивает в 3,01 раза более быстрый вывод ИИ и 8-кратную пропускную способность по сравнению со стандартной LPDDR5X. Samsung также сообщила о планах по LPDDR6X-PIM и ожидает первоначальную спецификацию JEDEC в этом году.