Исследователи из Пенсильванского университета создали ДНК-перовскитный мемристор с энергопотреблением в 100 раз ниже

AI-дайджестРедакция Mimile.ai17 августа 2026 г. в 05:00

Материал подготовлен искусственным интеллектом на основе нескольких источников — ссылки на оригиналы приведены ниже.

Исследователи из Пенсильванского университета создали ДНК-перовскитный мемристор с энергопотреблением в 100 раз ниже

Исследователи из Пенсильванского университета создали ДНК-перовскитный мемристор, потребляющий в 100 раз меньше энергии. Работа опубликована в журнале Advanced Functional Materials. Устройство хранит и обрабатывает информацию в одном месте после отключения питания и имитирует работу нейронов, открывая путь к низкоэнергетическим нейроморфным вычислениям для ИИ.

1 источник

Исследователи из Пенсильванского университета создали ДНК-перовскитный мемристор с энергопотреблением в 100 раз ниже

sciencedaily.com

ScienceDaily

Другие взгляды

YouTube

Researchers develop novel material capable of “thinking”

Penn State College of Engineering

Penn State: Inspiring Researchers

Penn State University

Virtual Tour of Steidle building with Materials Science and Engineering Professor Jon-Paul Maria

PennStateMatSE

Penn State's College of Earth and Mineral Sciences

Penn State College of Earth and Mineral Sciences

Читать также

Учёные из Эдинбурга предложили метод, который может на порядки снизить энергопотребление магнитной памяти

Исследователи из Эдинбургского университета разработали теоретическую основу, которая может на несколько порядков снизить энергию, необходимую для хранения и обработки цифровой информации в магнитной памяти. Подход использует теорию оптимального управления для создания сверхбыстрых импульсов магнитного поля, переключающих магнитные состояния с минимальными затратами энергии, приближаясь к пределу Ландауэра. Основа, опубликованная в Advanced Materials, включает практические рекомендации по проектированию устройств и доставке магнитных полей.

Исследователи Фуданьского университета продемонстрировали 2D-чип памяти, хранящий данные на одном электроне

Инженеры Фуданьского университета продемонстрировали 2D-чип флеш-памяти, который хранит один бит на одном захваченном электроне при комнатной температуре. Устройство, названное Guiyi («возвращение к единице»), выдало сигнал 0,5 вольта — в 10 раз сильнее прежних одноэлектронных попыток, говорится в исследовании, опубликованном 16 июля в Science. Прорыв происходит на фоне растущих требований ИИ к скорости и энергоэффективности хранилищ.

Китайские исследователи создали ультратонкое 2D-устройство памяти с одноэлектронным хранением

Китайские исследователи продемонстрировали двумерное устройство памяти, хранящее информацию с помощью отдельных электронов, преодолев проблему паразитной ёмкости, согласно публикации в Science. Транзистор на основе графена фиксирует добавление или удаление электрона как скачок порогового напряжения в 0,5 вольта и сохраняет состояния не менее 5 000 секунд при комнатной температуре, а потенциал хранения оценивается в 10 лет.

Модель ИИ точнее предсказывает связывание ДНК

Исследователи создали модель ИИ, предсказывающую связывание последовательностей ДНК. Модель улучшает понимание гиперсложных связей. Это применимо в диагностике и ДНК-вычислениях.